装置の紹介[NPF]

【NPF019】多目的エッチング装置（ICP-RIE）

名称	【NPF019】多目的エッチング装置（ICP-RIE）
メーカー	サムコ
導入年月日
仕様	放電に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用し、各種材料の微細加工を高速で行うことを目的としたロードロック式ドライエッチング装置です。本装置では、独自のトルネード型コイル電極の採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、主にシリコンや酸化シリコン膜などの高精度の異方性エッチングが可能です。また、ボッシュプロセスによるシリコンの深堀りも可能です。・型式:RIE-101iPHS-L ・試料サイズ:4インチφ, 5mmt ・放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP) ・ICP高周波電源: 最大500W（13.56 MHz）・バイアス高周波電源: 最大200W（13.56 MHz）・試料導入方式: ロードロック式・試料温度制御: -18℃～常温・使用ガス: SF6, C4F8, CHF3, CF4, Ar, O2