装置の紹介[NPF]

【NPF119】マスクレス露光装置［MLA150］

名称	【NPF119】マスクレス露光装置［MLA150］
メーカー	ハイデルベルグ (Heidelberg Instruments)
導入年月日	2025-03-18
仕様	・型式：MLA150 ・光源：半導体レーザー（375nm ) ・ステージ位置決め精度：10nm（X軸，Y軸）・最大ウエハーサイズ：φ８インチ・最大描画エリア：200mm×200mm ・アドレスグリッド：40nm ・最小描画パターン：500nm（L&Sパターン）・エッジラフネス：60nm（３σ）・ＣＤ均一性：100nm(３σ) ・重ね合わせ描画精度：0.25μm(5mm×5mm)、　　　　　　　　　　　0.5μm(100mm×100mm) ・裏面パターンとの重ね合わせ描画精度：1μm