装置の紹介[NPF]
【NPF101】Si深掘エッチング装置[PlasmaPro_100]
| 名称 | 【NPF101】Si深掘エッチング装置[PlasmaPro_100] |
|---|---|
| メーカー | オックスフォードインスツルメント |
| 導入年月日 | 2021-12-10 |
| 仕様 | 放電に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用したロードロック式エッチング装置です。本装置では主にボッシュプロセスによるシリコンの深掘り加工が可能です。 投入可能なサンプルの厚みは、ベース基板を含め6mmまでとなります。 ・型式:PlasmaPro_100_Cobra ・試料サイズ:4インチφ, 5mmt ・放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP) ・ICP高周波電源: 3kW（2 MHz） ・バイアス高周波電源: 300W（13.56 MHz）、最小 15 W ・試料導入方式: ロードロック式 ・試料温度制御: -30～80℃ ・使用ガス: CF4, CHF3, SF6, C4F8, O2, Ar |
