装置の紹介[NPF]
【NPF081】プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN）
| 名称 | 【NPF081】プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN） |
|---|---|
| メーカー | サムコ |
| 導入年月日 | 2017-07-01 |
| 仕様 | 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置(PCVD)であり、TEOSからSiO2を、SN-2（液体有機ケイ素化合物）からSi3N4を成膜することができます。RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300Wとなっています。ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大350℃まで昇温が可能です。 ・型式:PD-220NS ・試料サイズ:8インチ ・成膜種:SiO2, Si3N4 ・電極間隔:25mm (上部電極:Al製、下部電極:SUS製) ・高周波電源:300W（13.5MHｚ） ・ステージ加熱:350℃（抵抗加熱方式 ） |
