装置の紹介[NPF]
【NPF018】反応性イオンエッチング装置(RIE)
名称 | 【NPF018】反応性イオンエッチング装置(RIE) |
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メーカー | サムコ |
導入年月日 | |
仕様 | この装置は、平行平板電極に印加する高周波により、反応性ガス(SF6, CF4, O2)をイオン化し、これにより生じたラジカルやイオンをエッチング用粒子として使用して材料表面を削るものです。基板に高周波電圧を印加する方式により、加速されたイオンが基板に対して垂直方向に入射してエッチングを進めるのでパターンの微細化に有効です。8インチφウェハーまで対応が可能です。 ・型式:RIE-200L ・試料サイズ:8インチφ, 8mmt ・高周波電源:最大300 W(13.56 MHz) ・RF制御:インピーダンスオートマッチング ・電極:セミ無遮蔽型電極、上部Al電極、下部SUS電極電極 ・電極間隔:55 mm ・使用ガス:SF6, CF4, O2 ・パージガス:N2ガス |