装置の紹介[NPF]
【NPF030】プラズマCVD薄膜堆積装置
| 名称 | 【NPF030】プラズマCVD薄膜堆積装置 |
|---|---|
| メーカー | サムコ |
| 導入年月日 | |
| 仕様 | 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置(PCVD)であり、テトラエトキシシラン（TEOS）を原料として酸化シリコン膜を成膜することができます。 RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300Wとなっています。ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大400℃まで昇温可能です。 ・型式:PD-20SS ・試料サイズ8インチ ・有効成膜範囲:220mmφ ・排気系:ロータリーポンプ＋メカニカルブースターポンプ ・圧力制御:オートプレッシャーコントローラー（コンダクタンス可変型） ・高周波電源:300W（13.56MHz） ・電極間隔:25mm（上部電極:Al製、下部電極:SUS製） ・ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド ・ステージ加熱機構:抵抗加熱方式（400℃） ・導入ガス:C2F6, O2, TEOS |
