装置の紹介[NPF]
【NPF110】レーザー描画装置[DWL66+]
| 名称 | 【NPF110】レーザー描画装置[DWL66+] |
|---|---|
| メーカー | ハイデルベルグ |
| 導入年月日 | 2021-12-10 |
| 仕様 | 405nm半導体レーザー光源を有するレーザー描画装置であり、サブミクロンパターンがマスクレスで描画でき、裏面アライメント機能、及びグレースケール露光が可能である。 ・型式:DWL66+ ・試料サイズ:8インチφ、200mmx200mmx12mmt ・最小角型試料サイズ： 5mm×5mm ・描画エリア:200mm×200mm ・レーザー光源:405nm ・最小描画パターン:0.5μm （L&S）、0.3μm（孤立パターン） ・重ね合わせ描精度:0.25μm(5mm×5mm以内)、0.5μm(100mm×100mm以内) ・裏面パターンとの重ね合わせ精度：1μm ・グレースケール露光:1000階調 |
関連画像
0.5μｍライン＆スペース
レンズ 直径40μｍ高さ7μｍ
最小ピクセル 10μm×10μm
フォーカス推移（-50％～+20％）
フォ－カスオフセット：12%、 レーザーパワー：130mW
