装置の紹介[NPF]
【NPF089】赤外線ランプ加熱炉（RTA）
| 名称 | 【NPF089】赤外線ランプ加熱炉（RTA） |
|---|---|
| メーカー | アルバック理工株式会社(現:アドバンス理工株式会社) |
| 導入年月日 | 2003-03-27 |
| 仕様 | 本装置は、Si系デバイスのドーパント活性化・拡散プロセス用のRTA熱処理装置です。試料上面のみから加熱となるため、指示温度(サセプタに挿入したセンサの測定温度)と試料温度に差が生じやすくなります。温度差に関しては試料のサイズ、光吸収率や熱伝導率、雰囲気によって変化します。SiCコートサセプタを使用しているため、酸素雰囲気での加熱が可能です。Si等のドライ熱酸化も可能です。 ・型式:RTP-6S ・試料サイズ:小片～4インチφ ・到達真空度:-4乗Pa台 ・加熱方式: 試料上面より放物面反射赤外線輻射加熱方式 ・加熱制御方式:プログラム起電力比較クローズドループ・コントロール方式(PID3項制御) ・加熱範囲:150 mmφ ・温度範囲:RT～1000℃ ・最大加熱速度:20℃/sec(SiCコートサセプタ使用時は10℃/sec) ・均熱精度:ΔT=10℃(@700℃保定時 N2ガスフロー中) ・温度センサ:熱電対(シースK熱電対) ・雰囲気 ガス:N2, Ar, O2 |
