ALDは、原料の一層吸着を利用したユニークな 被覆性のよい成膜方法である。メカニズムの説明と、プロセスの基礎特性について、PEALD-SiO2を例に成膜速度の飽和特性などを紹介する。

「ALDのメカニズムとプロセスの紹介」 [PDF形式／1.5MB]

近年、蒸気圧の低い原料やで導電性材料の成膜に対応した装置のニーズが高まっている。本発表では、拡大するニーズに対応するために開発したALD装置の仕様・特徴及び、成膜結果について紹介する。さらに、当社のALD装置で成膜した膜を用いた応用例についても紹介する。

「サムコにおけるALD装置開発及びプロセス開発」 [PDF形式／1.8MB]

高純度オゾンは強い酸化力を持つため低温でのALDまた、高純度オゾンが長い寿命を持つのでバッチ処理に適用可能で生産性に優れる点に注目しています。今回の講演では他の酸化種と比較してピュアオゾンの特徴について紹介します。

「酸化源として酸素プラズマまたは水に対する高純度オゾンALDの特徴」 [PDF形式／2.9MB]

「Improved plasma ALD of nitrides by substrate biasing」 [PDF形式／856KB]

反応分子動力学法(Reax FF MD法)を用いて、CVD法やALD法における成膜過程をシミュレーションし、成膜表面における分子の熱流動現象 (分子振動や分子拡散)が成膜された膜の状態にどのような影響を与えるかの解析を行った例について紹介する。

「反応性力場分子動力学法および密度汎関数法による化学気相成長および原子層成長プロセスの解析」 [PDF形式／7.3MB]

ALD法を用いて、HfO2とZrO2を交互に堆積させることでラミネート構造を作製した。ミリ秒加熱を特長とするフラッシュランプアニール処理を行い、強誘電性Hf0.5Zr0.5O2の形成とその電気的特性を評価した。

北海道大学が所有する3台のALDにおいて実施された様々な成膜事例（成膜材料や成膜を必要としたデバイス）について紹介を行う。

ALD装置に接続されたin-situ XPSを用いた、成膜前の基板表面クリーニング状態やプリカーサーの吸着解離の様子及び関連する薄膜評価・分析技術の紹介を行う。

「産総研NPFのALD実験環境　―XPS付きALD装置の紹介を中心に―」 [PDF形式／1.5MB]