東京工業大学の支援設備の紹介および最先端Si-CMOSを背景に、共用設備であるALDで絶縁膜を形成したIII-V族系ナノシートトランジスタについて報告する。

「ALDで絶縁膜を形成したMOSFETについて　-III-V族系を中心として-　」 [PDF形式／3MB]

Here, super high-dielectric constant Al2O3/TiO2 nanolaminates deposited by the atomic layer deposition technique will be introduced.
Deposition condition effects on their electrical properties will be discussed.
Additionally, one example for the fabrication of diamond metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using the Al2O3/TiO2 nanolaminate as gate oxide will be demonstrated.

Super high-dielectric constant Al2O3/TiO2 nanolaminates deposited by the atomic layer deposition technique [PDF形式／767KB]

NIMSが共用する微細加工施設・設備の全体概要を紹介するとともに、新たに導入したALD装置の仕様・特徴等について紹介する。

結晶シリコンにALDで製膜した酸化チタン薄膜がシリコンの表面欠陥を終端するとともに、正孔選択層としてはたらく新機能を発見した。本講演では、ALD条件やポスト処理がシリコン太陽電池の性能に与える影響について紹介する。

Introduction of atomic layer deposition process by using Oxford Instruments system, to overview process variety including standard oxide process, nitride process, and 2D material development such as NbN, MoS2, and WS2. Also, introducing process activity with application examples.

Atomic Layer Deposition (ALD) overview and Introduction of Process Variety [PDF形式／1.3MB]

ALD成膜事例とXPSによる組成分析、XRDによる結晶性評価、SIMSによる不純物分析など関連の薄膜評価技術を紹介する。また、新規に導入するin-situ XPS、in-situ分光エリプソ付きALD装置の紹介をする。

NPFのALD成膜事例と関連する評価・分析技術の紹介 [PDF形式／1.8MB]

MEMS保護膜等のサーマルALD量産プロセスにおいて確立されたナノラミネート膜、ナノラミネート膜応力の緩和、高アスペクト比に対応するフロー制御、及びプラズマエッチング保護膜の開発事例等量産プロセス最適化について述べる。

サーマルALD量産プロセスの最適化 [PDF形式／660KB]

北海道大学が共用するALD（粉末対応型を含む）、PLD、ラジカルイオンガン付きスパッタの概要および成膜実施例の紹介を行う。

既存のALD材料・プロセスの問題点の解決を目的として、独自のALD材料開発を行っている。その一例として、自然発火性を持たないAl錯体などの当社独自のALD材料及び、それらを用いた成膜結果について紹介する。

独自のALD材料を用いた成膜プロセスのご紹介 [PDF形式／1.3MB]

半導体の微細化に伴う、半導体製造には様々なALD膜が使われ、また膜の高品質化が要求されている。本発表では、半導体原料メーカーとして、ALD原料の研究開発に最近取り組んでいる新規原料の合成や、物性測定、成膜評価、及びプロセス開発などについて紹介する。

半導体製造用ALD原料に関する研究開発 [PDF形式／2.2MB]

ALDプロセスは半導体分野だけでなくプラスチックフィルムや微粒子コーティング等の様々な色々な分野へ広がりを見せており今後、成長膜温度の低温化と高生産性のニーズが向上すると推測されます。本講演では、高純度オゾンが持つ高い酸化力と長い寿命の性質を用いて低温にてバッチ処理可能なALDプロセス技術を紹介します。

高純度オゾンを用いた低温ALDバッチプロセスの開発 [PDF形式／2.7MB]