開催日・場所・参加費・定員

【日時】
令和３年２月２４日（水）12:55～16:10
【場所】
Teamsによるオンライン開催
【参加費】
無料
【定員】
90 名(先着順、参加登録をお願いします)

講演

12:55-13:00
 はじめに

産業技術総合研究所　多田　哲也

13:00-13:40
「フルEB露光で作製するInGaAs ナノシートMOSFET」
▼講演概要

ナノシートをチャネルとするInGaAs MOSFETの作製に当たり、我々はソース・ドレインの再成長やメタルALD成膜などの新技術を取り入れると同時に、三種類の電子線レジストを使い分け、延べ10回のEB露光により作製している。今回は、そのプロセスの概要を説明する。

東京工業大学　宮本　恭幸

13:40-14:10
「電子ビーム露光における近接効果」
▼講演概要

パターンデータの粗密により、露光量不足、あるいは過剰露光になってしまう電子ビーム露光特有の近接効果現象について述べ、その補正方法、補正パラメータの取得について説明する。

産業技術総合研究所　有本　宏

14:10-14:40
「加速電圧によるコントラストカーブに基づいた描画結果と三次元形状の高スループットプロセスについて」
▼講演概要

加速電圧（50.100.150kv）によるコントラストカーブの取得とそれぞれの加速電圧によるそのコントラストカーブに基づく描画結果について述べる。また、大電流装置での三次元形状の作製と現像後ベーク処理による高スループットプロセスのEB装置の機能とアプリケーションについてご紹介する。

株式会社エリオニクス　三浦　大三朗

14:40-14:50
 休憩
14:50-15:20
「レーザー露光装置（DWL）によるグレイスケール露光」
▼講演概要・講演資料

HIMT製装置ラインナップとDWLによるグレイスケール露光機能の特徴、3Dパターニングを行う際に役立つ情報をご紹介いたします。

Grayscale Laser Lithography with Heidelberg Instruments DWL Series [PDF形式／4.7MB]

ハイデルベルグ・インストルメンツ株式会社　上瀧　英郎

15:20-15:50
「レーザー露光装置による3D・２Dグレースケール露光のためのデータ補正とシミュレーション 」
▼講演概要・講演資料

レーザー描画においては、描画パターンの粗密や、装置グリッド、レーザービーム径などの要因の元、仕上がり寸法を見越した設計データの事前補正や、高さ制御を行う場合にはこれに加えて適切なドーズ量補正が要求されます。本発表では、そうした各種補正技術について紹介する。

レーザ露光装置による3Dグレイスケール及び2Dマスク露光用データ補正とシミュレーションの紹介 [PDF形式／8.5MB]

GenISys 株式会社　清水　諭

15:50-16:20
「レーザー露光装置とEB露光装置を使った３次元パターニング技術」
▼講演概要

ナノインプリントや射出成形などで微細な３次元構造を作る場合、その型となるモールドが必要である。ここではマスクレスのレーザー直描装置、ならびにEB露光装置と電鋳技術を組み合わせた３次元のモールド作製技術を紹介する。

Bush Clover 株式会社　新関　嵩

16:20-16:25
「東京大学の微細加工プラットフォーム施設の紹介」

東京大学大学院システム・デザイン研究センタ (d.lab)　藤原　誠

16:25-16:30
「東北大学マイクロシステム融合研究開発センター試作コインランドリの紹介」

東北大学マイクロシステム融合研究開発センター　辺見　政浩

16:30-16:35
「物質・材料研究機構 微細加工プラットフォームの紹介」

物質・材料研究機構 微細加工プラットフォーム　津谷　大樹

16:35-16:40
「筑波大学 微細加工プラットフォームの紹介」

筑波大学数理物質系　末益　崇